图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 52V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 95 mOhm @ 12A, 12V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 250pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 1.74W |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装材料 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| RDS（ON） | 90 mOhms |
| 封装 | Bulk |
| 功率耗散 | 1.74 W |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 漏源击穿电压 | 59 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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